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NTR1P02T1GOSCT-ND

型号 :
NTR1P02T1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
PDF :
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库存 :
6509 
单价 :
暂无价格
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 165pF @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.5nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 1.5A,10V
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值 400mW
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 1A
系列 -
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