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BSS306N H6327CT-ND

型号 :
BSS306N H6327
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
PDF :
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库存 :
7653 
单价 :
暂无价格
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 11µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 275pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 1.5nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,10V
供应商器件封装 PG-SOT23-3
功率 - 最大值 500mW
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2.3A
系列 OptiMOS™
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