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BSZ440N10NS3 GINTR-ND

型号 :
BSZ440N10NS3 G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
PDF :
PDF
库存 :
5000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 12µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 640pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 9.1nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 44 毫欧 @ 12A,10V
供应商器件封装 PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
功率 - 最大值 29W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 18A
系列 OptiMOS™
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