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C2M0080120D-ND

型号 :
C2M0080120D
制造商 :
Cree Inc
简介 :
SIC MOSFET N-CH 1200V 31A TO247
PDF :
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库存 :
8000 
单价 :
暂无价格
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FET 功能 标准
FET 类型 SiCFET N 通道,碳化硅
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 950pF @ 1000V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 49.2nC @ 20V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 98 毫欧 @ 20A, 20V
供应商器件封装 TO-247-3
功率 - 最大值 208W
包装 散装
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
漏源极电压 (Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 31.6A
系列 Z-FET™
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