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IPP023NE7N3 GDKR-ND
- 型号 :
- IPP023NE7N3 G
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- PDF :
- 库存 :
- 8000
- 单价 :
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暂无价格
| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 273µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 14400pF @ 37.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 206nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 120A |
| 系列 | OptiMOS™ |
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