服务热线:0755-25559991
网站首页 > 产品> SI1913DH-T1-E3

SI1913DH-T1-E3TR-ND

型号 :
SI1913DH-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
PDF :
PDF
库存 :
9000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 1.8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 490 毫欧 @ 880mA,4.5V
供应商器件封装 SC-70-6
功率 - 最大值 570mW
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 880mA
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩