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SI3993DV-T1-E3CT-ND

型号 :
SI3993DV-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP
PDF :
PDF
库存 :
9924 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 5nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 133 毫欧 @ 2.2A,10V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 830mW
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 1.8A
系列 TrenchFET®
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