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SI4946BEY-T1-E3CT-ND

型号 :
SI4946BEY-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
15803 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 840pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 25nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 41 毫欧 @ 5.3A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 2.4W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 6.5A
系列 TrenchFET®
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