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SI7938DP-T1-GE3CT-ND

型号 :
SI7938DP-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC
PDF :
PDF
库存 :
20095 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2300pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 65nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.8 毫欧 @ 18.5A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大值 46W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
漏源极电压 (Vdss) 40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 60A
系列 TrenchFET®
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