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SI8901EDB-T2-E1CT-ND

型号 :
SI8901EDB-T2-E1
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP
PDF :
PDF
库存 :
7537 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 350µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) -
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装 6-Micro Foot™
功率 - 最大值 1W
包装 剪切带 (CT)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-MICRO FOOT®CSP
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 3.5A
系列 TrenchFET®
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