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296-35526-1-ND
- 型号 :
- CSD87312Q3E
- 制造商 :
- Texas Instruments
- 简介 :
- MOSFET N-CH 30V 27A DL 8VSON
- PDF :
- 库存 :
- 4955
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共源 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1250pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 33 毫欧 @ 7A， 8V |
| 供应商器件封装 | 8-SON（3.3x3.3） |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 27A |
| 系列 | NexFET™ |
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