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IRFHM8363TRPBF-ND

型号 :
IRFHM8363TRPBF
制造商 :
International Rectifier
简介 :
MOSFET DUAL N CH DL 30V 11A 8QFN
PDF :
PDF
库存 :
8000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1165pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 15nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 14.9 毫欧 @ 10A,10V
供应商器件封装 8-PQFN(3.3X3.3),Power33
功率 - 最大值 2.7W, 19W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 11A, 29A
系列 HEXFET®
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