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SI5920DC-T1-E3CT-ND

型号 :
SI5920DC-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8
PDF :
PDF
库存 :
8000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 680pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 12nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 6.8A,4.5V
供应商器件封装 1206-8 ChipFET™
功率 - 最大值 2.04W
包装 剪切带 (CT)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
漏源极电压 (Vdss) 8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4A
系列 TrenchFET®
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