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| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
|---|---|
| Gate Charge | 62nC |
| IGBT 类型 | - |
| Switching Energy | - |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 3.2V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间 (trr) | 1.4µs |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 3000V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30A |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 输入类型 | 标准 |
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