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IXDT30N120-ND

型号 :
IXDT30N120
制造商 :
IXYS
简介 :
IGBT 1200V 60A W/DIODE TO-268AA
PDF :
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库存 :
8000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

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Current - Collector Pulsed (Icm) 76A
Gate Charge 120nC
IGBT 类型 NPT
Switching Energy -
Td (on/off) A 25°C -
Test Condition -
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.9V @ 15V,30A
供应商器件封装 TO-268
功率 - 最大值 300W
包装 管件
反向恢复时间 (trr) -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60A
系列 -
输入类型 标准
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