服务热线:0755-25559991
网站首页 > 产品> GT20J321(Q)

GT20J321(Q)-ND

型号 :
GT20J321(Q)
制造商 :
Toshiba
简介 :
IGBT DUAL 600V 20A TO220NIS
PDF :
PDF
库存 :
8000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

浏览历史

Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Gate Charge -
IGBT 类型 -
Switching Energy 400µJ (开), 430µJ (关)
Td (on/off) A 25°C 60ns/240ns
Test Condition 300V, 20A, 33 欧姆
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.45V @ 15V,20A
供应商器件封装 TO-220NIS
功率 - 最大值 45W
包装 管件
反向恢复时间 (trr) 100ns
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20A
系列 -
输入类型 标准
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩