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HGT1S20N36G3VL-ND
- 型号 :
- HGT1S20N36G3VL
- 制造商 :
- Fairchild Semiconductor
- 简介 :
- IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
- PDF :
- 库存 :
- 8000
- 单价 :
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暂无价格
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
|---|---|
| Gate Charge | 28.7nC |
| IGBT 类型 | - |
| Switching Energy | - |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 1.9V @ 5V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 395V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 37.7A |
| 系列 | - |
| 输入类型 | 逻辑 |
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