服务热线:0755-25559991
网站首页 > 产品> NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1GOSDKR-ND

型号 :
NSS35200MR6T1G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6
PDF :
PDF
库存 :
4779 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 310mV @ 20mA,2A
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 1.5A,1.5V
供应商器件封装 6-TSOP
功率 - 最大值 625mW
包装 Digi-Reel®可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管类型 PNP
电压 - 集射极击穿(最大值) 35V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
系列 -
频率 - 跃迁 100MHz
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]
收缩