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954-PEMD17115-CHP

型号 :
PEMD17,115
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
TRANS PREBIASED DUAL SOT666
PDF :
PDF
库存 :
12000 
单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

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不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500µA,10mA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 5mA,5V
供应商器件封装 SOT-666
功率 - 最大值 300mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) 22k
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 47k
系列 -
频率 - 跃迁 -
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