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| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 450mV @ 300mA，6A / 510mV @ 250mA，5A |
|---|---|
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 250 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5.7A，4.8A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 系列 | - |
| 频率 - 跃迁 | 140MHz，115MHz |
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